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| Número de pieza | 1N5819-E3/54 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 40V |
| Capacitancia @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 125°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | Detalles |
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1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | Detalles |
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1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | Detalles |
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1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | Detalles |
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1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | Detalles |
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1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Detalles |
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1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Detalles |
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1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | Detalles |