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| Número de pieza | RN1132MFV,L3F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 200 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | - |
| Potencia - Max | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-723 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VESM |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | - | 0 | Detalles |
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RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | - | 0 | Detalles |
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RN1132MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | - | 2272607 | Detalles |
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RN113BPC | Switchcraft Inc. | CONN JACK STEREO 6.35MM R/A | 187 | Detalles |