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| Número de pieza | MT3S113(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 5.3V |
| Frecuencia - Transición | 12.5GHz |
| Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Ganancia | 11.8dB |
| Potencia - Max | 800mW |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | S-Mini |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI | - | 265779 | Detalles |
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