HN1B04FE-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
HN1B04FE-GR,LF P1
HN1B04FE-GR,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN1B04FE-GR,LF

Número de pieza
HN1B04FE-GR,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- HN1B04FE-GR,LF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
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Número de pieza HN1B04FE-GR,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Potencia - Max 100mW
Frecuencia - Transición 80MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor ES6

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