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| Número de pieza | CUS08F30,H3F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 800mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 220mV @ 10mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 30V |
| Capacitancia @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SC-76, SOD-323 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | USC |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 125°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CUS01(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT | 0 | Detalles | |
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CUS02(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT | 0 | Detalles | |
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CUS03(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT | - | 604776 | Detalles |
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CUS04(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT | - | 604776 | Detalles |
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CUS05(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT | - | 614080 | Detalles |
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CUS05F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC | 12000 | Detalles | |
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CUS05F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC | - | 1301584 | Detalles |
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CUS05S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC | - | 3000 | Detalles |
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CUS05S40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC | - | 45000 | Detalles |
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CUS06(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT | - | 633575 | Detalles |
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CUS08F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC | - | 36000 | Detalles |