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Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58NYG2S3HBAI4

Número de pieza	TH58NYG2S3HBAI4
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	63-BGA
Paquete de dispositivo del proveedor	63-BGA (9x11)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
TH58NVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR	-	11495	Detalles
TH58NVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP		79	Detalles
TH58NVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP		127	Detalles
TH58NVG3S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V	-	6036	Detalles
TH58NVG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V	-	7798	Detalles
TH58NVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Detalles
TH58NVG3S0HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Detalles
TH58NVG4S0FTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Detalles
TH58NVG4S0HTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE		72	Detalles
TH58NVG4S0HTAK0	Toshiba Semiconductor and Storage	16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE		0	Detalles
TH58NVG5S0FTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 32GBIT 25NS 48TSOP		228	Detalles
TH58NVG5S0FTAK0	Toshiba Memory America, Inc.	32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM	-	1635	Detalles