CSD13303W1015

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD13303W1015 P1
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Texas Instruments ~ CSD13303W1015

Número de pieza
CSD13303W1015
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza CSD13303W1015
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 31A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.65W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-DSBGA
Paquete / caja 6-UFBGA, DSBGA

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