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| Número de pieza | STQ2LN60K3-AP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 600mA (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 | - | 0 | Detalles |