DTD113ZUT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DTD113ZUT106 P1
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Rohm Semiconductor ~ DTD113ZUT106

Número de pieza
DTD113ZUT106
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DTD113ZUT106.pdf DTD113ZUT106 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTD113ZUT106
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor UMT3

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