BR25G512FVT-3GE2

SPI BUS EEPROM
BR25G512FVT-3GE2 P1
BR25G512FVT-3GE2 P1
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Rohm Semiconductor ~ BR25G512FVT-3GE2

Número de pieza
BR25G512FVT-3GE2
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
SPI BUS EEPROM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza BR25G512FVT-3GE2
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria EEPROM
Tecnología EEPROM
Tamaño de la memoria 512Kb (64K x 8)
Frecuencia de reloj 10MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 5ms
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI
Suministro de voltaje 1.8V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-TSSOP-B

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