NTMFS4119NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
NTMFS4119NT1G P1
NTMFS4119NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS4119NT1G

Número de pieza
NTMFS4119NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NTMFS4119NT1G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTMFS4119NT1G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 24V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 29A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / caja 8-PowerTDFN, 5 Leads

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