NSVDTC123JM3T5G

SOT-723 BIAS RESISTOR
NSVDTC123JM3T5G P1
NSVDTC123JM3T5G P1
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ON Semiconductor ~ NSVDTC123JM3T5G

Número de pieza
NSVDTC123JM3T5G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
SOT-723 BIAS RESISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NSVDTC123JM3T5G PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza NSVDTC123JM3T5G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 260mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-723

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