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| Número de pieza | MTP10N10ELG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 5A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
