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| Número de pieza | FQA16N50-F109 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P |
| Paquete / caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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FQA160N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P | - | 132 | Detalles |
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FQA16N25C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P | 0 | Detalles | |
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FQA16N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P | 0 | Detalles | |
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FQA16N50-F109 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A | - | 32062 | Detalles |
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FQA16N50_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A | - | 259 | Detalles |