DTA123EET1G

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
DTA123EET1G P1
DTA123EET1G P1
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ON Semiconductor ~ DTA123EET1G

Número de pieza
DTA123EET1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DTA123EET1G PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTA123EET1G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 2.2k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivo del proveedor SC-75, SOT-416

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