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| Número de pieza | 2SK3666-4-TB-E |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Voltaje - avería (V (BR) GSS) | 30V |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.5mA @ 10V |
| Drenaje actual (Id) - Max | 10mA |
| Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistencia - RDS (Encendido) | 200 Ohm |
| Potencia - Max | 200mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-CP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | 0 | Detalles | |
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2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET NCH 30V 200MW 3CP | - | 3000 | Detalles |
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2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | - | 12000 | Detalles |
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2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.2W CP | 0 | Detalles | |
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2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Detalles | |
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2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Detalles | |
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2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Detalles | |
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2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Detalles | |
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2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Detalles |