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| Número de pieza | 1HP04CH-TL-W |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 170mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 Ohm @ 80mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-CPH |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 | - | 486000 | Detalles |