PDTD113EK,115

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
PDTD113EK,115 P1
PDTD113EK,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PDTD113EK,115

Número de pieza
PDTD113EK,115
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PDTD113EK,115.pdf PDTD113EK,115 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza PDTD113EK,115
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 1k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SMT3; MPAK

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