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| Número de pieza | PQMD2Z |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 22k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 22k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 1µA |
| Frecuencia - Transición | 230MHz, 180MHz |
| Potencia - Max | 230mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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