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| Número de pieza | PMZB600UNELYL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 360mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1006B-3 |
| Paquete / caja | 3-XFDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PMZB600UNELYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B | - | 819156 | Detalles |
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PMZB600UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3QFN | 10000 | Detalles | |
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PMZB670UPE,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | 0 | Detalles |