PEMD30,115

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
PEMD30,115 P1
PEMD30,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PEMD30,115

Número de pieza
PEMD30,115
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PEMD30,115.pdf PEMD30,115 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza PEMD30,115
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-666

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