PDTB113EQAZ

TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTB113EQAZ P1
PDTB113EQAZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ PDTB113EQAZ

Número de pieza
PDTB113EQAZ
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza PDTB113EQAZ
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 1k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 150MHz
Potencia - Max 325mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN1010D-3

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