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Lista de materiales

PDTA123ETVL

PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › PDTA123ETVL
PDTA123ETVL P1
PDTA123ETVL P1
Las imágenes son sólo para referencia.
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Nexperia USA Inc. ~ PDTA123ETVL

Número de pieza
PDTA123ETVL
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- PDTA123ETVL PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
  • En stock $ Cantidad pcs
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Parámetro del producto

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Número de pieza PDTA123ETVL
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción PDF En stock Ver
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