PDTA114YQAZ

TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTA114YQAZ P1
PDTA114YQAZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ PDTA114YQAZ

Número de pieza
PDTA114YQAZ
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PDTA114YQAZ.pdf PDTA114YQAZ PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza PDTA114YQAZ
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición 180MHz
Potencia - Max 280mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN1010D-3

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