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Lista de materiales

PDTA114EU/MIF

RET
Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › PDTA114EU/MIF
PDTA114EU/MIF P1
PDTA114EU/MIF P1
Las imágenes son sólo para referencia.
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Nexperia USA Inc. ~ PDTA114EU/MIF

Número de pieza
PDTA114EU/MIF
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
RET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- PDTA114EU/MIF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
  • En stock $ Cantidad pcs
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Parámetro del producto

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Número de pieza PDTA114EU/MIF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición 180MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor SC-70

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción PDF En stock Ver
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