MS1007

TRANS RF BIPO 233W 10A M174
MS1007 P1
MS1007 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ MS1007

Número de pieza
MS1007
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 233W 10A M174
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MS1007 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza MS1007
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 55V
Frecuencia - Transición 30MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 14dB
Potencia - Max 233W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 18 @ 1.4A, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja M174
Paquete de dispositivo del proveedor M174

Productos relacionados

Todos los productos