IRF8707GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF8707GTRPBF P1
IRF8707GTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF8707GTRPBF

Número de pieza
IRF8707GTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF8707GTRPBF.pdf IRF8707GTRPBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRF8707GTRPBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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