IPP60R074C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
IPP60R074C6XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPP60R074C6XKSA1

Número de pieza
IPP60R074C6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IPP60R074C6XKSA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPP60R074C6XKSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 57.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 480.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 21A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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