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| Número de pieza | IPL65R099C7AUMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-VSON-4 |
| Paquete / caja | 4-PowerTSFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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