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| Número de pieza | IPB048N06LGATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | 0 | Detalles | |
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IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 0 | Detalles | |
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IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 0 | Detalles |