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| Número de pieza | IPB015N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 279µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 222nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-7 |
| Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 3000 | Detalles |
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IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 29082 | Detalles |
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 2000 | Detalles |
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IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 29082 | Detalles |
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IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | 0 | Detalles |