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| Número de pieza | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Configuración de Diodo | 3 Independent |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.2V @ 3600A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3050A @ 900V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | A-IHM190-1 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DZ3600S17K3B2NOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 3600V | - | 46 | Detalles |