DD1200S12H4HOSA1

MOD DIODE 1200A IHMB130-2
DD1200S12H4HOSA1 P1
DD1200S12H4HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DD1200S12H4HOSA1

Número de pieza
DD1200S12H4HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOD DIODE 1200A IHMB130-2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza DD1200S12H4HOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración 2 Independent
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
Potencia - Max 1200000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
Corriente - corte de colector (máximo) -
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce -
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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