BSM75GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM75GD120DN2BOSA1 P1
BSM75GD120DN2BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM75GD120DN2BOSA1

Número de pieza
BSM75GD120DN2BOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza BSM75GD120DN2BOSA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 103A
Potencia - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 1.5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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