BSC011N03LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BSC011N03LSATMA1 P1
BSC011N03LSATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSC011N03LSATMA1

Número de pieza
BSC011N03LSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BSC011N03LSATMA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BSC011N03LSATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / caja 8-PowerTDFN

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