GP1M003A040CG

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
GP1M003A040CG P1
GP1M003A040CG P2
GP1M003A040CG P1
GP1M003A040CG P2
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Global Power Technologies Group ~ GP1M003A040CG

Número de pieza
GP1M003A040CG
Fabricante
Global Power Technologies Group
Descripción
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza GP1M003A040CG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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