GD5F1GQ4UFYIGR

SPI NAND FLASH
GD5F1GQ4UFYIGR P1
GD5F1GQ4UFYIGR P1
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD5F1GQ4UFYIGR

Número de pieza
GD5F1GQ4UFYIGR
Fabricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Descripción
SPI NAND FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza GD5F1GQ4UFYIGR
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Frecuencia de reloj 120MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 700µs
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor 8-WSON (6x8)

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