FQPF17N08

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
FQPF17N08 P1
FQPF17N08 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQPF17N08

Número de pieza
FQPF17N08
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FQPF17N08
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 5.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack

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