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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS6681Z

Número de pieza	FDS6681Z
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7540pF @ 15V
Vgs (Max)	±25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
FDS2070N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Detalles
FDS2070N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Detalles
FDS2170N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Detalles
FDS2170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Detalles
FDS2572	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC	-	22500	Detalles
FDS2582	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC	-	10000	Detalles
FDS2670	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO	-	2500	Detalles
FDS2672	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	5000	Detalles
FDS2672-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	10418	Detalles
FDS2672_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	52500	Detalles
FDS2734	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC	-	10000	Detalles
FDS3170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC		0	Detalles