EPC2023

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
EPC2023 P1
EPC2023 P1
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EPC ~ EPC2023

Número de pieza
EPC2023
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- EPC2023 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza EPC2023
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die

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