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| Número de pieza | ZXMN10B08E6TA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.3V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 497pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-26 |
| Paquete / caja | SOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 3000 | Detalles |
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ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | Detalles |
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ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | Detalles |
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ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | - | 0 | Detalles |
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Detalles | |
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ZXMN10A11GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Detalles | |
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ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK | - | 0 | Detalles |