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| Número de pieza | DMT10H009LSS-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta), 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2309pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 120813 | Detalles |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 136503 | Detalles |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | - | 127 | Detalles |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | - | 0 | Detalles |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | 0 | Detalles |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | 0 | Detalles |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 111325 | Detalles |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | - | 0 | Detalles |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Detalles |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Detalles |
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DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Detalles |
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DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Detalles |