DMN6013LFG-7

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
DMN6013LFG-7 P1
DMN6013LFG-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN6013LFG-7

Número de pieza
DMN6013LFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN6013LFG-7 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza DMN6013LFG-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / caja 8-PowerWDFN

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