DMN1150UFB-7B

MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
DMN1150UFB-7B P1
DMN1150UFB-7B P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1150UFB-7B

Número de pieza
DMN1150UFB-7B
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN1150UFB-7B PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza DMN1150UFB-7B
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.41A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 106pF @ 10V
Vgs (Max) ±6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / caja 3-UFDFN

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