DMN10H220L-13

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
DMN10H220L-13 P1
DMN10H220L-13 P2
DMN10H220L-13 P1
DMN10H220L-13 P2
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Diodes Incorporated ~ DMN10H220L-13

Número de pieza
DMN10H220L-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN10H220L-13 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza DMN10H220L-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 401pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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