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Cree/Wolfspeed ~ C3M0280090D

Número de pieza	C3M0280090D
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 600V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 7.5A, 15V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / caja	TO-247-3

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
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