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| Número de pieza | TN0610N3-G-P003 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 3V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 750mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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