Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G27LS-75,118

Número de pieza	BLF6G27LS-75,118
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	-
Ganancia	-
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	18A
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	600mA
Salida de potencia	9W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	SOT-502B
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT502B

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
BLF6G20-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	-	0	Detalles
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-40,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A		0	Detalles
BLF6G20-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		30	Detalles
BLF6G20-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		0	Detalles
BLF6G20-75,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20LS-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	Detalles
BLF6G20LS-110,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	Detalles