TVS, o supresor de voltaje transitorio, es un nuevo tipo de dispositivo de protección de circuito de alta eficiencia que se usa comúnmente. Tiene un tiempo de respuesta extremadamente rápido (subnanosegundos) y una capacidad de absorción de sobretensiones bastante alta, y se puede utilizar para proteger equipos o circuitos de electricidad estática, voltajes transitorios generados cuando se conmuta una carga inductiva y voltaje excesivo generado por rayos inductivos. . Los diodos TVS ordinarios están formados por una estructura de unión PN única, que tiene una estructura única y un proceso simple. Los dispositivos de protección ESD tienen requisitos más altos en el diseño estructural y el proceso, y la estructura es más compleja. Generalmente, está diseñado como una estructura integrada de unión PN multicanal y adopta múltiples epitaxia, expansión de doble cara o diseño de zanja. Los dispositivos de protección ESD pueden garantizar que los chips de circuitos integrados miniaturizados estén protegidos de manera efectiva, lo que representa el nivel técnico actual y la dirección de desarrollo de TVS. Los dispositivos de protección TVS/ESD tienen una amplia gama de aplicaciones.Con la promoción de la infraestructura 5G y mercados como teléfonos móviles 5G, pilas de carga de vehículos eléctricos, computadoras personales y electrónica industrial, los expertos de la industria esperan que los dispositivos de protección TVS/ESD crezcan significativamente.
Según la base de datos temática de Financial Associated Press, entre las empresas cotizadas relevantes:
Los productos Coreguide TVS y ESD han ingresado con éxito a los fabricantes de marcas de teléfonos móviles como Xiaomi, Transsion, TCL, etc. Algunas de las tecnologías y rendimientos de TVS, MOS y otros productos desarrollados se pueden aplicar a la electrónica automotriz.
Jiejie Microelectronics ha pasado la certificación del sistema de calidad de la industria automotriz IATF16949, y algunos productos de TVS se utilizan en pilas de carga en vehículos de nueva energía.
TSMC planea aumentar la cotización de la fundición de procesos maduros de 8 pulgadas en aproximadamente un 10-20 % en el tercer trimestre. Su proceso maduro y avanzado de 12 pulgadas todavía está bajo evaluación.
Los diseñadores de circuitos integrados señalaron además que en la actualidad, la capacidad de proceso madura representada por 8" sigue siendo muy popular y la expansión de la producción aún es limitada. TSMC debería poder aumentar los precios sin problemas, lo que también impulsará las fábricas de segundo nivel cuyas el crecimiento se ha ralentizado. .
Con la creciente demanda en los mercados intermedios, como los vehículos eléctricos, los teléfonos inteligentes 5G y los servidores, la capacidad de producción del lado de la oferta suele ser limitada. En el enlace de fundición, la escasez de capacidad de proceso maduro es aún peor.
Informes anteriores indicaron que las reservas de capacidad de fundición de semiconductores nacionales de 8 pulgadas de este año han terminado y se espera que el suministro de semiconductores de este año también enfrente un dilema similar al del año pasado debido a la capacidad de fundición insuficiente.
La fundición de chips East Hi-Tech (DB HiTek) anunció que cerrará el canal de pedidos en el segundo trimestre. Se espera que la capacidad de fundición en el tercer y cuarto trimestre se agote tan pronto como comiencen los pedidos anticipados. Además, Key Foundry dijo que también se ha reservado la capacidad de este año.
Según los últimos datos de la firma de investigación de mercado Trendforce, la capacidad de producción de obleas de 8 pulgadas ha sido muy escasa desde la segunda mitad de 2019. Para resolver el problema de la competencia por la capacidad de producción de 8 pulgadas, todavía es necesario esperar a que una gran cantidad de productos principales se transfieran a las fábricas de 12 pulgadas, lo que se estima entre la segunda mitad de 2023 y 2024. .
Vale la pena mencionar que, según los expertos de la industria, debido a la limitada capacidad de producción de 8 pulgadas, International IDM planea migrar los módulos de potencia MOSFET e IGBT automotrices de 8 pulgadas a 12 pulgadas.