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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPH6R30ANL,L1Q |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 50V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 38A 8SOP | - | 0 | Einzelheiten |
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TPH6R004PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 200444 | Einzelheiten |
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TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 155257 | Einzelheiten |